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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBTS244Z E3062A
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BTS244Z E3062A - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BTS244Z E3062A
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BTS244Z E3062A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Scheda dati
BTS244Z.pdf
In magazzino: 5330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BTS244Z E3062A
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BTS244Z E3062A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BTS244Z E3062A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-5-62  
Serie TEMPFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

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Proprietà del prodotto BTS244Z E3062A BTS244ZE3043 BTS244Z E3043 BTS244Z
Modello di prodotti BTS244Z E3062A BTS244ZE3043 BTS244Z E3043 BTS244Z
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-5-62 TO-220-5 P-TO220-5-43 -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V -
Serie TEMPFET® * TEMPFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 130µA 2V @ 130µA 2V @ 130µA -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole -
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Contenitore / involucro TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-220-5 TO-220-5 -

BTS244Z E3062A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BTS244Z E3062A PDF e la documentazione Infineon Technologies per BTS244Z E3062A - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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